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光电芯片制造重大突破:我国科学家首次获得纳米级光雕刻三维结构

来源:IT之家

  

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时间:2022-10-07 12:00

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光电芯片制造重大突破:我国科学家首次获得纳米级光雕刻三维结构

这项重要的发明可能会为未来的光电子芯片制造开辟一条新的轨道有望用于制作关键的光电器件,如光电调制器,声滤波器,非易失性铁电存储器等在5G/6G通信,光计算,人工智能等领域具有广阔的应用前景

本工作将飞秒激光偏振技术与铌酸锂铁电畴工程有机结合,突破了传统技术的壁垒,首次实现了纳米铁电畴在三维空间的可控制备将其应用于量子光学领域,可以产生高效率,高维,窄线宽的量子纠缠在电子学领域,可以促进高性能铁电畴壁纳米电子器件的发展,如大容量可重写非易失性存储器,在声学领域,纳米周期铁电畴结构可以实现超高频声学谐振器和滤波器飞秒激光偏振技术可以进一步应用于其他铁电晶体管,包括钽酸锂和磷酸钛钾晶体等,推动高性能三维光,声,电集成器件的发展

飞秒三维激光打印纳米铁电畴

本站了解到,该研究工作得到了科技部国家重点R&D计划,国家自然科学基金,固体微结构物理国家重点实验室和人工微结构科学与技术协同创新中心的支持。

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